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国家知识产权局信息显示，东莞市中镓半导体科技有限公司申请一项名为“一种用于氮化镓单晶衬底的研磨抛光方法”的专利，公开号CN121018288A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种用于氮化镓单晶衬底的研磨抛光方法，包括步骤：氮化镓单晶衬底Ga面背离研磨平台固定；测量Ga面翘曲值并选定第一研磨头对Ga面进行第一次研磨；氮化镓单晶衬底N面背离研磨平台固定；测量N面翘曲值并选定第二研磨头对N面进行第一次研磨；提供第三研磨头对氮化镓单晶衬底的N面进行第二次研磨；氮化镓单晶衬底Ga面背离研磨平台固定；提供第四研磨头对氮化镓单晶衬底的Ga面进行第二次研磨；对氮化镓单晶衬底进行化学机械抛光。本专利对氮化镓单晶衬底的Ga面和N面进行第一次研磨时，根据Ga面和N面的翘曲情况，选用中心区域与边缘位置具有差异的研磨头进行区别研磨，能够提高对凸起部分的研磨减薄效率，同时减少非凸起部分在研磨过程的损伤。
天眼查资料显示，东莞市中镓半导体科技有限公司，成立于2009年，位于东莞市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本13010万人民币。通过天眼查大数据分析，东莞市中镓半导体科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息218条，此外企业还拥有行政许可7个。
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