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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“氧化层的平坦化方法”的专利，公开号CN 120998777 A，申请日期为2025年7月。专利摘要显示，本发明公开了一种氧化层的平坦化方法，包括步骤：在底层结构上依次形成衬垫氧化层和第一多晶硅层。依次对第一多晶硅层、衬垫氧化层和底层结构进行图形化刻蚀形成沟槽。在沟槽中填充第一氧化层，第一氧化层还延伸到沟槽外。进行CMP以对第一氧化层进行平坦化，CMP至少在最后阶段采用第一种粒径的研磨粒子，第一多晶硅层作为最后阶段的停止层，第一种粒径减少到保证不对第一氧化层产生刮伤。本发明能在对氧化层的CMP的最后阶段采用不产生刮伤的小粒径的研磨粒子，同时还能对研磨终点进行很好的控制；还能保证研磨速率以及消除台阶差的能力。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2091次，专利信息2614条，此外企业还拥有行政许可396个。
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