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突破工艺障碍 联电45纳米SRAM芯片出炉

信息来源:eooaoo.com  时间:2008-01-25  浏览次数:119

  台湾地区的晶圆代工厂商联电已突破关键的45纳米工艺障碍,生产出了位单元尺寸小于0.25平方微米的SRAM芯片。为此,工程师应用了全部最先进的工艺设备,包括沉浸式光刻、超浅结、迁移率增强方法和低k电介质。联电计划明年试生产45纳米芯片。该公司表示,与其65纳米工艺相比,新式45纳米工艺的6晶体管SRAM单元尺寸缩小了50%,性能提高了30%。这都是45纳米工艺的优点。
  随着芯片设计师的注意力转向45纳米,他们将需要解决设计规范缩小30%的问题。他们还必须面对多种工艺变化,并磋商棘手的制造缺陷。定时、功率、信号完整性、漏电流、热梯度和可靠性问题也将继续存在。

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